![TK40A06N1,S4X(S TK40A06N1,S4X(S](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE3TO220F-40.jpg)
TK40A06N1,S4X(S TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK40A06N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0084 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK40A06N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0084 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 96.31 грн |
10+ | 76.59 грн |
100+ | 59.53 грн |
500+ | 45.63 грн |
1000+ | 29.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK40A06N1,S4X(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK40A06N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0084 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції TK40A06N1,S4X(S
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
TK40A06N1,S4X(S | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
![]() |
TK40A06N1,S4X(S | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
![]() |
TK40A06N1,S4X(S | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |