Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TK290P65Y,RQ
TK290P65Y,RQ

TK290P65Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage

TK290P65Y_datasheet_en_20161115.pdf?did=55288&prodName=TK290P65Y Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 11.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 300 V
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+131.14 грн
10+ 105.34 грн
100+ 83.87 грн
500+ 66.6 грн
1000+ 56.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK290P65Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 650V 11.5A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA, Supplier Device Package: DPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 300 V.

Інші пропозиції TK290P65Y,RQ за ціною від 54.48 грн до 140.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TK290P65Y,RQ TK290P65Y,RQ Виробник : Toshiba TK290P65Y_datasheet_en_20161115-1115887.pdf MOSFETs N-Ch DTMOSV 650V 100W 730pF 11.5A
на замовлення 3979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+140.61 грн
10+ 115.64 грн
100+ 80.59 грн
250+ 74.17 грн
500+ 68.32 грн
1000+ 57.34 грн
2000+ 54.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK290P65Y,RQ TK290P65Y,RQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TK290P65Y_datasheet_en_20161115.pdf?did=55288&prodName=TK290P65Y Description: MOSFET N-CH 650V 11.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 300 V
товар відсутній