Продукція > TOSHIBA > TK25V60X5,LQ
TK25V60X5,LQ

TK25V60X5,LQ Toshiba

TK25V60X5_datasheet_en_20151223-1649633.pdf Виробник: Toshiba
MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN8x8-OS PD=180W F=1MHZ
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+369 грн
10+ 305.53 грн
25+ 250.92 грн
100+ 215.07 грн
250+ 203.13 грн
500+ 191.18 грн
1000+ 163.77 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK25V60X5,LQ Toshiba

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 180W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA, Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V.

Інші пропозиції TK25V60X5,LQ за ціною від 155.99 грн до 333.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TK25V60X5,LQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TK25V60X5_datasheet_en_20151223.pdf?did=15560&prodName=TK25V60X5 Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+162.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
TK25V60X5,LQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TK25V60X5_datasheet_en_20151223.pdf?did=15560&prodName=TK25V60X5 Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+333.77 грн
10+ 269.94 грн
100+ 218.39 грн
500+ 182.18 грн
1000+ 155.99 грн