![TK25V60X5,LQ TK25V60X5,LQ](https://www.mouser.com/images/toshibaamericaelectroniccomponentsinc/lrg/DFN8x8_5_DSL.jpg)
TK25V60X5,LQ Toshiba
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 369 грн |
10+ | 305.53 грн |
25+ | 250.92 грн |
100+ | 215.07 грн |
250+ | 203.13 грн |
500+ | 191.18 грн |
1000+ | 163.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK25V60X5,LQ Toshiba
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 180W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA, Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK25V60X5,LQ за ціною від 155.99 грн до 333.77 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TK25V60X5,LQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
TK25V60X5,LQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|