![TK25E60X5,S1X(S TK25E60X5,S1X(S](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE3TO220-40.jpg)
TK25E60X5,S1X(S TOSHIBA
![3934669.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: TOSHIBA - TK25E60X5,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.12 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 272.8 грн |
10+ | 236 грн |
50+ | 208.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK25E60X5,S1X(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK25E60X5,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.12 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 180W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції TK25E60X5,S1X(S
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
TK25E60X5,S1X(S | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |