TK25A60X5,S5X(M TOSHIBA
Виробник: TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK25A60X5,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.12 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 349.6 грн |
| 10+ | 303.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK25A60X5,S5X(M TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK25A60X5,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.12 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції TK25A60X5,S5X(M
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TK25A60X5,S5X(M | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine |
товар відсутній |