Інші пропозиції TK25A60X,S5X за ціною від 124.09 грн до 269.23 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TK25A60X,S5X | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
TK25A60X,S5X | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
TK25A60X,S5X | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 57 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
TK25A60X,S5X | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220SIS Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA Supplier Device Package: TO-220SIS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V |
на замовлення 91 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
TK25A60X,S5X | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |
З цим товаром купують
FGA25N120ANTD (FGA25N120ANTDTU_F109) Код товару: 34959 |
![]() |
Виробник: ON
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-3P
Vces: 1200 V
Vce: 2,0 V
Ic 25: 50 A
Ic 100: 25 A
Pd 25: 312 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 50/190
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-3P
Vces: 1200 V
Vce: 2,0 V
Ic 25: 50 A
Ic 100: 25 A
Pd 25: 312 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 50/190
у наявності: 180 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 225 грн |
10+ | 214 грн |
100+ | 207 грн |