Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TK22V65X5,LQ

TK22V65X5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

TK22V65X5_datasheet_en_20161008.pdf?did=54459&prodName=TK22V65X5 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+183.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK22V65X5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 180W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.1mA, Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V.

Інші пропозиції TK22V65X5,LQ за ціною від 175.84 грн до 375.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TK22V65X5,LQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TK22V65X5_datasheet_en_20161008.pdf?did=54459&prodName=TK22V65X5 Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+375.69 грн
10+ 304.27 грн
100+ 246.18 грн
500+ 205.37 грн
1000+ 175.84 грн
TK22V65X5,LQ TK22V65X5,LQ Виробник : Toshiba 169403341811709169402703227111tk22v65x5_datasheet_en_20161008.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 22A 5-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
TK22V65X5,LQ TK22V65X5,LQ Виробник : Toshiba TK22V65X5_datasheet_en_20161008-1649789.pdf MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DFN 8?8 PD=180W F=1MHZ
товар відсутній