на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 114.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK20V60W5,LVQ(S Toshiba
Description: TOSHIBA - TK20V60W5,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.156 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 156W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: DFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.156ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Інші пропозиції TK20V60W5,LVQ(S за ціною від 98.06 грн до 248.8 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK20V60W5,LVQ(S | Виробник : TOSHIBA |
 Description: TOSHIBA - TK20V60W5,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.156 ohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 156W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: DFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.156ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
TK20V60W5,LVQ(S | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 5-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
TK20V60W5,LVQ(S | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 5-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
TK20V60W5,LVQ(S | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK20V60W5,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.156 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|