Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TK1R5R04PB,LXGQ
TK1R5R04PB,LXGQ

TK1R5R04PB,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage

TK1R5R04PB_datasheet_en_20200624.pdf?did=35767&prodName=TK1R5R04PB Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: D2PAK+
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+86.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK1R5R04PB,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 205W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA, Supplier Device Package: D2PAK+, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V.

Інші пропозиції TK1R5R04PB,LXGQ за ціною від 74.88 грн до 194.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TK1R5R04PB,LXGQ TK1R5R04PB,LXGQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TK1R5R04PB_datasheet_en_20200624.pdf?did=35767&prodName=TK1R5R04PB Description: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: D2PAK+
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+182.06 грн
10+ 145.3 грн
100+ 115.64 грн
500+ 91.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK1R5R04PB,LXGQ TK1R5R04PB,LXGQ Виробник : Toshiba TK1R5R04PB_datasheet_en_20200624-1840168.pdf MOSFETs 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 18442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+194.69 грн
10+ 159.1 грн
100+ 110.54 грн
250+ 101.98 грн
500+ 93.42 грн
1000+ 79.16 грн
2000+ 74.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK1R5R04PB,LXGQ Виробник : Toshiba tk1r5r04pb_datasheet_en_20200624.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 160A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній