Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TK1R4F04PB,LXGQ
TK1R4F04PB,LXGQ

TK1R4F04PB,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage

TK1R4F04PB_datasheet_en_20200624.pdf?did=30508&prodName=TK1R4F04PB Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO220SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 80A, 6V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+80.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK1R4F04PB,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO220SM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 80A, 6V, Power Dissipation (Max): 205W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA, Supplier Device Package: TO-220SM(W), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V.

Інші пропозиції TK1R4F04PB,LXGQ за ціною від 74.5 грн до 234.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TK1R4F04PB,LXGQ TK1R4F04PB,LXGQ Виробник : Toshiba TK1R4F04PB_datasheet_en_20200624-1840173.pdf MOSFETs 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 1841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+193.52 грн
10+ 159.23 грн
100+ 99.81 грн
500+ 80.83 грн
1000+ 74.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK1R4F04PB,LXGQ TK1R4F04PB,LXGQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TK1R4F04PB_datasheet_en_20200624.pdf?did=30508&prodName=TK1R4F04PB Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO220SM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 80A, 6V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+234.17 грн
10+ 147.23 грн
100+ 102.56 грн
500+ 78.3 грн
Мінімальне замовлення: 2