на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 76.63 грн |
| 10+ | 60.44 грн |
| 100+ | 41.65 грн |
| 500+ | 37.15 грн |
| 1000+ | 26.53 грн |
| 2500+ | 26.46 грн |
| 5000+ | 25.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK1K2A60F,S4X Toshiba
Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK1K2A60F,S4X за ціною від 66.3 грн до 66.3 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TK1K2A60F,S4X | Виробник : Toshiba |
 N-Channel 600V 6A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS TK1K2A60F,S4X(S TTK1k2a60fкількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
 |
TK1K2A60F,S4X | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220SIS Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA Supplier Device Package: TO-220SIS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 300 V |
товар відсутній |