Продукція > TOSHIBA > TK190U65Z,RQ
TK190U65Z,RQ

TK190U65Z,RQ Toshiba

tk190u65z_datasheet_en_20210914.pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 650V 15A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
на замовлення 1469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+140.32 грн
10+ 133.03 грн
100+ 118.88 грн
500+ 105.46 грн
1000+ 87.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK190U65Z,RQ Toshiba

Description: DTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZ, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 130W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA, Supplier Device Package: TOLL, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 300 V.

Інші пропозиції TK190U65Z,RQ за ціною від 89.58 грн до 192.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TK190U65Z,RQ TK190U65Z,RQ Виробник : Toshiba TK190U65Z_datasheet_en_20210914-2005153.pdf MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=130W F=1MHZ
на замовлення 1814 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+150.6 грн
10+ 131.41 грн
100+ 98.75 грн
500+ 91.7 грн
1000+ 89.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK190U65Z,RQ TK190U65Z,RQ Виробник : Toshiba tk190u65z_datasheet_en_20210914.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 15A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
на замовлення 1469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
81+151.12 грн
86+ 143.26 грн
100+ 128.02 грн
500+ 113.57 грн
1000+ 94.36 грн
Мінімальне замовлення: 81
TK190U65Z,RQ TK190U65Z,RQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage Description: DTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 300 V
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+192.29 грн
10+ 155.48 грн
100+ 125.77 грн
500+ 104.91 грн
1000+ 89.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK190U65Z,RQ TK190U65Z,RQ Виробник : Toshiba tk190u65z_datasheet_en_20210914.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 15A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
товар відсутній
TK190U65Z,RQ TK190U65Z,RQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage Description: DTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 300 V
товар відсутній