![TK15A60D(STA4,Q,M) TK15A60D(STA4,Q,M)](https://www.mouser.com/images/mouserelectronics/lrg/TO_220_FullPack_3_t.jpg)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 172.22 грн |
10+ | 141.06 грн |
100+ | 97.7 грн |
250+ | 89.86 грн |
500+ | 82.01 грн |
1000+ | 69.67 грн |
2500+ | 66.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK15A60D(STA4,Q,M) Toshiba
Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TK15A60D(STA4,Q,M)
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
TK15A60D(STA4,Q,M) | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
TK15A60D(STA4,Q,M) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220SIS Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V |
товар відсутній |