Продукція > TOSHIBA > TK155U65Z,RQ(S
TK155U65Z,RQ(S

TK155U65Z,RQ(S TOSHIBA

TOSC-S-A0015053283-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK155U65Z,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.122 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-LL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.122ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+155.46 грн
500+ 132.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK155U65Z,RQ(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK155U65Z,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.122 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 150W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-LL, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.122ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).

Інші пропозиції TK155U65Z,RQ(S за ціною від 116.66 грн до 355.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TK155U65Z,RQ(S TK155U65Z,RQ(S Виробник : TOSHIBA TOSC-S-A0015053283-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TOSHIBA - TK155U65Z,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.122 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-LL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+263.9 грн
10+ 191.1 грн
100+ 155.46 грн
500+ 132.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK155U65Z,RQ(S Виробник : Toshiba TK155U65Z,RQ(S
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
75+159.17 грн
78+ 153.1 грн
100+ 147.91 грн
250+ 138.3 грн
500+ 124.57 грн
1000+ 116.66 грн
Мінімальне замовлення: 75
TK155U65Z,RQ(S Виробник : Toshiba TK155U65Z,RQ(S
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+355.51 грн
53+ 226.59 грн
65+ 184.3 грн
100+ 166.07 грн
200+ 152.86 грн
500+ 130.34 грн
1000+ 121.71 грн
2000+ 118.27 грн
Мінімальне замовлення: 34
TK155U65Z,RQ(S Виробник : Toshiba PWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній