на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 227.96 грн |
50+ | 178.63 грн |
100+ | 115.27 грн |
250+ | 104.02 грн |
500+ | 99.81 грн |
1000+ | 96.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK155A65Z,S4X Toshiba
Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 730µA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK155A65Z,S4X
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
TK155A65Z,S4X | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
TK155A65Z,S4X | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
TK155A65Z,S4X | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
TK155A65Z,S4X | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO220SIS Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 730µA Supplier Device Package: TO-220SIS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635 pF @ 300 V |
товар відсутній |