![TK11P65W,RQ TK11P65W,RQ](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/da370416e9208bf6c9c54d036007b2506a3870ee/tk560p65yrq.jpg)
на замовлення 1709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 53.31 грн |
100+ | 52.82 грн |
500+ | 50.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK11P65W,RQ Toshiba
Description: MOSFET N-CH 650V 11.1A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 450µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK11P65W,RQ за ціною від 54.39 грн до 135 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TK11P65W,RQ | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 1709 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
TK11P65W,RQ | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 267 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
TK11P65W,RQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 650V 11.1A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 450µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V |
на замовлення 473 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
TK11P65W,RQ | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
TK11P65W,RQ | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
TK11P65W,RQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 650V 11.1A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 450µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V |
товар відсутній |