![TK11A65W,S5X TK11A65W,S5X](https://www.mouser.com/images/mouserelectronics/lrg/TO_220_FullPack_3_t.jpg)
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 125.46 грн |
10+ | 83.25 грн |
100+ | 58.48 грн |
500+ | 45.55 грн |
1000+ | 38.59 грн |
5000+ | 37.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK11A65W,S5X Toshiba
Description: MOSFET N-CH 650V 11.1A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 450µA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK11A65W,S5X за ціною від 87.2 грн до 142.18 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TK11A65W,S5X | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 450µA Supplier Device Package: TO-220SIS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V |
на замовлення 57 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
TK11A65W,S5X | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |
|||||||
![]() |
TK11A65W,S5X | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |