Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TK110P10PL,RQ
TK110P10PL,RQ

TK110P10PL,RQ Toshiba Semiconductor and Storage

TK110P10PL_datasheet_en_20210127.pdf?did=60590&prodName=TK110P10PL Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 50 V
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+64.86 грн
10+ 51.21 грн
100+ 39.86 грн
500+ 31.71 грн
1000+ 25.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK110P10PL,RQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 75W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA, Supplier Device Package: DPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 50 V.

Інші пропозиції TK110P10PL,RQ за ціною від 23.84 грн до 69.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TK110P10PL,RQ TK110P10PL,RQ Виробник : Toshiba TK110P10PL_datasheet_en_20210127-2509606.pdf MOSFET DPAK-OS PD=75W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 36818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+69.62 грн
10+ 56.87 грн
100+ 38.51 грн
500+ 32.59 грн
1000+ 26.59 грн
2500+ 24.97 грн
5000+ 23.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
TK110P10PL,RQ TK110P10PL,RQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TK110P10PL_datasheet_en_20210127.pdf?did=60590&prodName=TK110P10PL Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 50 V
товар відсутній