Продукція > TOSHIBA > TK110A65Z,S4X(S
TK110A65Z,S4X(S

TK110A65Z,S4X(S TOSHIBA


TOSC-S-A0009581719-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK110A65Z,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.092 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 209 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+320.78 грн
10+ 232.81 грн
100+ 186.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK110A65Z,S4X(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK110A65Z,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.092 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).

Інші пропозиції TK110A65Z,S4X(S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TK110A65Z,S4X(S Виробник : Toshiba PWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній