Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TK10P60W,RVQ
TK10P60W,RVQ

TK10P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage

TK10P60W_datasheet_en_20140917.pdf?did=13502&prodName=TK10P60W Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+87.46 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK10P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 80W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V.

Інші пропозиції TK10P60W,RVQ за ціною від 70.42 грн до 193.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TK10P60W,RVQ TK10P60W,RVQ Виробник : Toshiba 335docget.jsptypedatasheetlangenpidtk10p60w.jsptypedatasheetlangenpi.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+119.18 грн
10+ 109.65 грн
100+ 97.79 грн
250+ 93.36 грн
500+ 81.72 грн
1000+ 72.39 грн
2000+ 70.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
TK10P60W,RVQ TK10P60W,RVQ Виробник : Toshiba 335docget.jsptypedatasheetlangenpidtk10p60w.jsptypedatasheetlangenpi.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
93+128.35 грн
101+ 118.09 грн
113+ 105.31 грн
250+ 100.54 грн
500+ 88 грн
1000+ 77.95 грн
2000+ 75.84 грн
Мінімальне замовлення: 93
TK10P60W,RVQ TK10P60W,RVQ Виробник : Toshiba TK10P60W_datasheet_en_20140917-1140053.pdf MOSFET N-Ch 9.7A 80W FET 600V 700pF 20nC
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+174.3 грн
10+ 147.71 грн
100+ 106.13 грн
250+ 105.46 грн
500+ 92.61 грн
1000+ 81.12 грн
2000+ 79.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK10P60W,RVQ TK10P60W,RVQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TK10P60W_datasheet_en_20140917.pdf?did=13502&prodName=TK10P60W Description: MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+193.78 грн
10+ 155.13 грн
100+ 123.48 грн
500+ 98.05 грн
1000+ 83.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK10P60W,RVQ TK10P60W,RVQ Виробник : Toshiba 335docget.jsptypedatasheetlangenpidtk10p60w.jsptypedatasheetlangenpi.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TK10P60W,RVQ TK10P60W,RVQ Виробник : Toshiba 335docget.jsptypedatasheetlangenpidtk10p60w.jsptypedatasheetlangenpi.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній