![TK10E80W,S1X TK10E80W,S1X](https://www.mouser.com/images/toshibaamericaelectroniccomponentsinc/lrg/TO_220_3_t.jpg)
TK10E80W,S1X Toshiba
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 265.68 грн |
10+ | 226.32 грн |
50+ | 166.58 грн |
100+ | 147.6 грн |
250+ | 138.46 грн |
500+ | 130.73 грн |
1000+ | 115.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK10E80W,S1X Toshiba
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 130W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA, Supplier Device Package: TO-220, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK10E80W,S1X за ціною від 186.13 грн до 243.3 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TK10E80W,S1X | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.8A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 300 V |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
![]() |
TK10E80W,S1X | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |