![TK10A50D(STA4,Q,M) TK10A50D(STA4,Q,M)](https://www.mouser.com/images/mouserelectronics/lrg/TO_220_FullPack_3_t.jpg)
на замовлення 196 шт:
термін постачання 576-585 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 195.98 грн |
10+ | 124.48 грн |
100+ | 74.5 грн |
500+ | 66.7 грн |
1000+ | 63.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK10A50D(STA4,Q,M) Toshiba
Description: MOSFET N-CH 500V 10A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TK10A50D(STA4,Q,M)
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
TK10A50D(STA4,Q,M) | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
TK10A50D(STA4,Q,M) | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
TK10A50D(STA4,Q,M) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220SIS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V |
товар відсутній |