на замовлення 200 шт:
термін постачання 74-83 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 223.04 грн |
| 10+ | 160.04 грн |
| 100+ | 99.81 грн |
| 500+ | 80.83 грн |
| 1000+ | 75.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK100E06N1,S1X Toshiba
Description: MOSFET N CH 60V 100A TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 255W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V.
Інші пропозиції TK100E06N1,S1X за ціною від 148.11 грн до 235.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK100E06N1,S1X | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET N CH 60V 100A TO-220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
TK100E06N1,S1X | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 263A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine |
товар відсутній |