Продукція > TOSHIBA > TK100A06N1,S4X(S
TK100A06N1,S4X(S

TK100A06N1,S4X(S TOSHIBA

TK100A06N1.pdf Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 263A; 45W; TO220FP
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 45W
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 263A
On-state resistance: 2.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+127.77 грн
9+ 108.46 грн
23+ 102.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK100A06N1,S4X(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK100A06N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 263 A, 0.0022 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 263A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).

Інші пропозиції TK100A06N1,S4X(S за ціною від 123.02 грн до 329.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TK100A06N1,S4X(S TK100A06N1,S4X(S Виробник : TOSHIBA TK100A06N1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 263A; 45W; TO220FP
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 45W
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 263A
On-state resistance: 2.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 611 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+184.32 грн
3+ 159.22 грн
9+ 130.15 грн
23+ 123.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK100A06N1,S4X(S TK100A06N1,S4X(S Виробник : TOSHIBA 3934610.pdf Description: TOSHIBA - TK100A06N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 263 A, 0.0022 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 263A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+220 грн
10+ 162.4 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK100A06N1,S4X(S TK100A06N1,S4X(S Виробник : Toshiba 2tk100a06n1_datasheet_en_20140107.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 263A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
38+329.55 грн
Мінімальне замовлення: 38
TK100A06N1,S4X(S TK100A06N1,S4X(S Виробник : Toshiba 2tk100a06n1_datasheet_en_20140107.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 263A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товар відсутній