![TK090U65Z,RQ TK090U65Z,RQ](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/b97c70fc148fc289b301712b4b710515a117661a/tk190u65zrq.jpg)
на замовлення 1652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
47+ | 157.6 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK090U65Z,RQ Toshiba
Description: DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 230W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA, Supplier Device Package: TOLL, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK090U65Z,RQ за ціною від 158.18 грн до 432.61 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TK090U65Z,RQ | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 1652 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
TK090U65Z,RQ | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 1067 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
TK090U65Z,RQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA Supplier Device Package: TOLL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V |
на замовлення 2118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
TK090U65Z,RQ | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
TK090U65Z,RQ | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||
![]() |
TK090U65Z,RQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA Supplier Device Package: TOLL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V |
товар відсутній |