Продукція > TOSHIBA > TK090U65Z,RQ
TK090U65Z,RQ

TK090U65Z,RQ Toshiba

tk090u65z_datasheet_en_20201023.pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
на замовлення 1652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
47+157.6 грн
Мінімальне замовлення: 47
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK090U65Z,RQ Toshiba

Description: DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 230W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA, Supplier Device Package: TOLL, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V.

Інші пропозиції TK090U65Z,RQ за ціною від 158.18 грн до 432.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TK090U65Z,RQ TK090U65Z,RQ Виробник : Toshiba tk090u65z_datasheet_en_20201023.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
на замовлення 1652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
72+169.72 грн
Мінімальне замовлення: 72
TK090U65Z,RQ TK090U65Z,RQ Виробник : Toshiba TK090U65Z_datasheet_en_20201023-2005164.pdf MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ
на замовлення 1067 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+391.14 грн
10+ 307.96 грн
25+ 198.91 грн
100+ 168.69 грн
500+ 167.98 грн
TK090U65Z,RQ TK090U65Z,RQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69970&prodName=TK090U65Z Description: DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+432.61 грн
10+ 279.68 грн
100+ 202.03 грн
500+ 158.43 грн
1000+ 158.18 грн
TK090U65Z,RQ TK090U65Z,RQ Виробник : Toshiba tk090u65z_datasheet_en_20201023.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
товар відсутній
TK090U65Z,RQ Виробник : Toshiba tk090u65z_datasheet_en_20201023.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
товар відсутній
TK090U65Z,RQ TK090U65Z,RQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69970&prodName=TK090U65Z Description: DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
товар відсутній