Технічний опис TJ9A10M3,S4Q Toshiba
Category: THT P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -9A; 19W; TO220FP, Mounting: THT, Power dissipation: 19W, Drain-source voltage: -100V, Drain current: -9A, On-state resistance: 0.12Ω, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Case: TO220FP, Gate charge: 47nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, кількість в упаковці: 1000 шт.
Інші пропозиції TJ9A10M3,S4Q
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
TJ9A10M3,S4Q | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
TJ9A10M3,S4Q | Виробник : TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -9A; 19W; TO220FP Mounting: THT Power dissipation: 19W Drain-source voltage: -100V Drain current: -9A On-state resistance: 0.12Ω Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: tube Case: TO220FP Gate charge: 47nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1000 шт |
товар відсутній |
|
![]() |
TJ9A10M3,S4Q | Виробник : TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -9A; 19W; TO220FP Mounting: THT Power dissipation: 19W Drain-source voltage: -100V Drain current: -9A On-state resistance: 0.12Ω Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: tube Case: TO220FP Gate charge: 47nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
товар відсутній |