на замовлення 21747 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 124.2 грн |
10+ | 100.1 грн |
25+ | 79.85 грн |
100+ | 62.22 грн |
250+ | 60.42 грн |
500+ | 49.63 грн |
1000+ | 45.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TJ60S06M3L,LXHQ Toshiba
Description: MOSFET P-CH 60V 60A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: DPAK+, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): +10V, -20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7760 pF @ 10 V.
Інші пропозиції TJ60S06M3L,LXHQ за ціною від 42.99 грн до 149.4 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TJ60S06M3L,LXHQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 60V 60A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: DPAK+ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): +10V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7760 pF @ 10 V |
на замовлення 1977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
TJ60S06M3L,LXHQ | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 60V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||
TJ60S06M3L,LXHQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 60V 60A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: DPAK+ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): +10V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7760 pF @ 10 V |
товар відсутній |