TJ60S06M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7760 pF @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 62.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TJ60S06M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 60V 60A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: DPAK+, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): +10V, -20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7760 pF @ 10 V.
Інші пропозиції TJ60S06M3L(T6L1,NQ за ціною від 58.88 грн до 201.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TJ60S06M3L(T6L1,NQ | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R |
на замовлення 1349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
TJ60S06M3L(T6L1,NQ | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R |
на замовлення 1349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
TJ60S06M3L(T6L1,NQ | Виробник : Toshiba |
MOSFETs P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112 |
на замовлення 5074 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
TJ60S06M3L(T6L1,NQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 60V 60A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: DPAK+ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): +10V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7760 pF @ 10 V |
на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
TJ60S06M3L(T6L1,NQ | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
TJ60S06M3L(T6L1,NQ | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| TJ60S06M3L(T6L1,NQ | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -60A; Idm: -120A; 100W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -60A Pulsed drain current: -120A Power dissipation: 100W Case: DPAK Gate-source voltage: -20...10V On-state resistance: 14.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 156nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| TJ60S06M3L(T6L1,NQ | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -60A; Idm: -120A; 100W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -60A Pulsed drain current: -120A Power dissipation: 100W Case: DPAK Gate-source voltage: -20...10V On-state resistance: 14.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 156nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |