на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 155+ | 77.88 грн |
| 163+ | 74.41 грн |
| 250+ | 71.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TJ30S06M3L,LXHQ(O Toshiba
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -30A; 68W; DPAK, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -60V, Drain current: -30A, Power dissipation: 68W, Case: DPAK, Gate-source voltage: -20...10V, On-state resistance: 16.8mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 80nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Features of semiconductor devices: ESD protected gate, кількість в упаковці: 2000 шт.
Інші пропозиції TJ30S06M3L,LXHQ(O
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| TJ30S06M3L,LXHQ(O | Виробник : Toshiba |
 TJ30S06M3L,LXHQ(O |
товар відсутній |
||
 |
TJ30S06M3L,LXHQ(O | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -30A; 68W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -30A Power dissipation: 68W Case: DPAK Gate-source voltage: -20...10V On-state resistance: 16.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 80nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 2000 шт |
товар відсутній |
|
|
|
TJ30S06M3L,LXHQ(O | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -30A; 68W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -30A Power dissipation: 68W Case: DPAK Gate-source voltage: -20...10V On-state resistance: 16.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 80nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |