Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TJ15P04M3,RQ(S
TJ15P04M3,RQ(S

TJ15P04M3,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage

TJ15P04M3_datasheet_en_20150407.pdf?did=22023&prodName=TJ15P04M3 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 40V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+59.4 грн
10+ 46.5 грн
100+ 36.2 грн
500+ 28.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TJ15P04M3,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 40V 15A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 29W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V.

Інші пропозиції TJ15P04M3,RQ(S за ціною від 20.76 грн до 76.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TJ15P04M3,RQ(S TJ15P04M3,RQ(S Виробник : Toshiba TJ15P04M3_datasheet_en_20150407-1135539.pdf MOSFET P-Ch MOS 1100 pF 29W PD -15A -40V
на замовлення 1736 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+64.98 грн
10+ 54.62 грн
100+ 37.01 грн
500+ 30.95 грн
1000+ 25.89 грн
2000+ 24.18 грн
4000+ 22.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
TJ15P04M3,RQ(S TJ15P04M3,RQ(S Виробник : Toshiba 44179571833070634417956427840856tj15p04m3_datasheet_en_20150407.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
161+76.41 грн
328+ 37.32 грн
359+ 34.1 грн
360+ 32.78 грн
500+ 24.69 грн
1000+ 22.19 грн
2000+ 22.01 грн
4000+ 20.76 грн
Мінімальне замовлення: 161
TJ15P04M3,RQ(S TJ15P04M3,RQ(S Виробник : Toshiba 44179571833070634417956427840856tj15p04m3_datasheet_en_20150407.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TJ15P04M3,RQ(S TJ15P04M3,RQ(S Виробник : Toshiba 44179571833070634417956427840856tj15p04m3_datasheet_en_20150407.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TJ15P04M3,RQ(S TJ15P04M3,RQ(S Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TJ15P04M3_datasheet_en_20150407.pdf?did=22023&prodName=TJ15P04M3 Description: MOSFET P-CH 40V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
товар відсутній