Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TJ10S04M3L(T6L1,NQ
TJ10S04M3L(T6L1,NQ

TJ10S04M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=11298&prodName=TJ10S04M3L Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 40V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+93.34 грн
10+ 73.84 грн
100+ 57.42 грн
500+ 45.67 грн
1000+ 37.2 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TJ10S04M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 40V 10A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 27W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: DPAK+, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): +10V, -20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V.

Інші пропозиції TJ10S04M3L(T6L1,NQ за ціною від 33.16 грн до 96.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TJ10S04M3L(T6L1,NQ TJ10S04M3L(T6L1,NQ Виробник : Toshiba TJ10S04M3L_datasheet_en_20200624-1858424.pdf MOSFETs P-Ch MOS 33.8 mOhm 10V 10uA 2.0 to 3.0V
на замовлення 1931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+96.51 грн
10+ 77.83 грн
100+ 52.56 грн
500+ 44.57 грн
1000+ 36.3 грн
2000+ 34.09 грн
4000+ 33.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
TJ10S04M3L(T6L1,NQ TJ10S04M3L(T6L1,NQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11298&prodName=TJ10S04M3L Description: MOSFET P-CH 40V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
товар відсутній