![TIP112G TIP112G](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4848/488_TO-220-3.jpg)
TIP112G onsemi
![tip110-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: TRANS NPN DARL 100V 2A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 2219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 67.68 грн |
50+ | 52.79 грн |
100+ | 41.83 грн |
500+ | 33.28 грн |
1000+ | 27.11 грн |
2000+ | 25.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TIP112G onsemi
Description: TRANS NPN DARL 100V 2A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 2mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 2 W.
Інші пропозиції TIP112G за ціною від 27.25 грн до 70.16 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TIP112G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
TIP112G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 2880 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
TIP112G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
![]() |
TIP112G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
TIP112G | Виробник : ONSEMI |
![]() Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 500 Verlustleistung Pd: 50 Übergangsfrequenz ft: - Bauform - Transistor: TO-220AB Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 2 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
TIP112G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 2W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 2A Power dissipation: 2W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
TIP112G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 2W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 2A Power dissipation: 2W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube |
товар відсутній |