TF412ST5G

TF412ST5G ON Semiconductor


tf412s-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans JFET N-CH 30V 10mA 3-Pin SOT-883 T/R
на замовлення 16000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8000+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 8000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TF412ST5G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - TF412ST5G - JFET-Transistor, -30 V, 3 mA, -1.5 V, SOT-883, 3 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 3mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 1.2mA, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-883, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -30V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Transistortyp: JFET, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції TF412ST5G за ціною від 5.3 грн до 30.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TF412ST5G TF412ST5G Виробник : onsemi tf412s-d.pdf Description: JFET N-CH 30V 10MA SOT883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Current Drain (Id) - Max: 10 mA
Supplier Device Package: SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 180 mV @ 1 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2 mA @ 10 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8000+6.68 грн
16000+ 5.79 грн
24000+ 5.7 грн
Мінімальне замовлення: 8000
TF412ST5G TF412ST5G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013947547-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - TF412ST5G - JFET-Transistor, -30 V, 3 mA, -1.5 V, SOT-883, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 3mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+10.63 грн
500+ 6.61 грн
8000+ 5.9 грн
Мінімальне замовлення: 100
TF412ST5G TF412ST5G Виробник : onsemi tf412s-d.pdf Description: JFET N-CH 30V 10MA SOT883
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Current Drain (Id) - Max: 10 mA
Supplier Device Package: SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 180 mV @ 1 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2 mA @ 10 V
на замовлення 49130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.39 грн
16+ 19.31 грн
100+ 11.58 грн
500+ 10.06 грн
1000+ 6.84 грн
2000+ 6.3 грн
Мінімальне замовлення: 12
TF412ST5G TF412ST5G Виробник : onsemi TF412S_D-3150575.pdf JFETs NCH J-FET SOT-883
на замовлення 346572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+27.97 грн
20+ 16.27 грн
100+ 9.2 грн
1000+ 6.41 грн
2500+ 6.34 грн
8000+ 5.44 грн
24000+ 5.3 грн
Мінімальне замовлення: 12
TF412ST5G TF412ST5G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013947547-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - TF412ST5G - JFET-Transistor, -30 V, 3 mA, -1.5 V, SOT-883, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 3mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 1.2mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+30.88 грн
45+ 17.43 грн
100+ 10.63 грн
500+ 6.61 грн
8000+ 5.9 грн
Мінімальне замовлення: 26