TD210N12KOF Infineon Technologies
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 14527.85 грн |
| 6+ | 14037.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TD210N12KOF Infineon Technologies
Category: Diode - thyristor modules, Description: Module: diode-thyristor; 1.2kV; 210A; BG-PB50-1; Ufmax: 1.65V, Electrical mounting: screw, Mechanical mounting: screw, Type of module: diode-thyristor, Case: BG-PB50-1, Max. off-state voltage: 1.2kV, Max. load current: 410A, Max. forward voltage: 1.65V, Load current: 210A, Semiconductor structure: double series, Gate current: 200mA, Max. forward impulse current: 6.6kA.
Інші пропозиції TD210N12KOF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| TD210N12KOF | Виробник : EUPEC | 05+ |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| TD210N12KOF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES | TD210N12KOF Diode - thyristor modules |
товар відсутній |
||
 |
TD210N12KOF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: Diode - thyristor modulesDescription: Module: diode-thyristor; 1.2kV; 210A; BG-PB50-1; Ufmax: 1.65V Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: diode-thyristor Case: BG-PB50-1 Max. off-state voltage: 1.2kV Max. load current: 410A Max. forward voltage: 1.65V Load current: 210A Semiconductor structure: double series Gate current: 200mA Max. forward impulse current: 6.6kA |
товар відсутній |