TC6320K6-G Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N/P-CH 200V 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 25V, 125pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DFN (4x4)
Part Status: Active
Description: MOSFET N/P-CH 200V 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 25V, 125pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DFN (4x4)
Part Status: Active
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3300+ | 94.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TC6320K6-G Microchip Technology
Description: MOSFET N/P-CH 200V 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 25V, 125pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-DFN (4x4), Part Status: Active.
Інші пропозиції TC6320K6-G за ціною від 87.29 грн до 133.31 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TC6320K6-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N/P-CH 200V 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 25V, 125pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: 8-DFN (4x4) Part Status: Active |
на замовлення 5228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
TC6320K6-G | Виробник : Microchip Technology | MOSFETs N AND P-CH 200V MOSFET |
на замовлення 14250 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||
TC6320K6-G |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
TC6320K6-G Код товару: 143550 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||
TC6320K6-G | Виробник : Microchip Technology | TC6320K6-G Microchip Technology Transistors MOSFETs N/P-CH Si 200V 8-Pin SOIC T/R Si - Arrow.com |
товару немає в наявності |
||||||||||
TC6320K6-G | Виробник : Microchip Technology | TC6320K6-G Microchip Technology Transistors MOSFETs N/P-CH Si 200V 8-Pin SOIC T/R Si - Arrow.com |
товару немає в наявності |
||||||||||
TC6320K6-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY | TC6320K6-G Multi channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||
TC6320K6-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N/P-CH Si 200V 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||
TC6320K6-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N/P-CH Si 200V 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |