TC58NYG2S0HBAI4

TC58NYG2S0HBAI4 Kioxia America


kioxiaamericainc_tosc_s_a0002810421_1-1991597.pdf Виробник: Kioxia America
NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
на замовлення 145 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+503.36 грн
10+ 420.72 грн
210+ 317.35 грн
420+ 270.28 грн
1050+ 227.49 грн
2520+ 216.08 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TC58NYG2S0HBAI4 Kioxia America

Description: IC FLASH 4GBIT 63TFBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 63-VFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 4Gbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V, Technology: FLASH - NAND (SLC), Memory Format: FLASH, Supplier Device Package: 63-TFBGA (9x11), Write Cycle Time - Word, Page: 25ns, Memory Organization: 512M x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.

Інші пропозиції TC58NYG2S0HBAI4

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TC58NYG2S0HBAI4 TC58NYG2S0HBAI4 Виробник : Kioxia kioxia_tc58nyg2s0hbai4_rev2.00_e191001c.pdf NAND Flash Parallel 1.8V 4G-bit 512M x 8 63-Pin TFBGA
товар відсутній
TC58NYG2S0HBAI4 TC58NYG2S0HBAI4 Виробник : Kioxia America, Inc. KIOXIA_TC58NYG2S0HBAI4_Rev2.00_E191001C.pdf Description: IC FLASH 4GBIT 63TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 63-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 63-TFBGA (9x11)
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns
Memory Organization: 512M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній