Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TBC857B,LM
TBC857B,LM

TBC857B,LM Toshiba Semiconductor and Storage

TBC857_datasheet_en_20160707.pdf?did=53599&prodName=TBC857 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 100mA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 30nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.81 грн
6000+ 1.65 грн
9000+ 1.4 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TBC857B,LM Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PNP 50V 0.15A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 100mA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 30nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 80MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 320 mW.

Інші пропозиції TBC857B,LM за ціною від 1.08 грн до 11.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TBC857B,LM TBC857B,LM Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TBC857_datasheet_en_20160707.pdf?did=53599&prodName=TBC857 Description: TRANS PNP 50V 0.15A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 100mA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 30nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
на замовлення 14324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+10.97 грн
40+ 7.18 грн
100+ 3.85 грн
500+ 2.84 грн
1000+ 1.97 грн
Мінімальне замовлення: 27
TBC857B,LM TBC857B,LM Виробник : Toshiba TBC857_datasheet_en_20160707-1001817.pdf Bipolar Transistors - BJT BJT PNP -0.15A -50V
на замовлення 9437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+11.75 грн
39+ 8.16 грн
100+ 3.04 грн
1000+ 1.83 грн
3000+ 1.49 грн
9000+ 1.15 грн
24000+ 1.08 грн
Мінімальне замовлення: 27
TBC857B,LM TBC857B,LM Виробник : Toshiba 3495docget.jspdid53599prodnametbc857.jspdid53599prodnametbc857.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 320mW 3-Pin SOT-23
товар відсутній
TBC857B,LM Виробник : Toshiba 3495docget.jspdid53599prodnametbc857.jspdid53599prodnametbc857.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 320mW 3-Pin SOT-23
товар відсутній