на замовлення 500 шт:
термін постачання 953-962 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 223.04 грн |
| 10+ | 198.03 грн |
| 100+ | 138.46 грн |
| 500+ | 113.16 грн |
| 1000+ | 94.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUP90220E-GE3 Vishay / Siliconix
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 64A; Idm: 100A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 64A, Pulsed drain current: 100A, Power dissipation: 230W, Case: TO220AB, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 23.5mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 48nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SUP90220E-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SUP90220E-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 200V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|
 |
SUP90220E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|
| SUP90220E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 64A; Idm: 100A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 64A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 48nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
SUP90220E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 64A TO220AB |
товар відсутній |
|
| SUP90220E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 64A; Idm: 100A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 64A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 48nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |