SUP90100E-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 200 V (D-S) MOSFET TO-
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3930 pF @ 100 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 244.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUP90100E-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SUP90100E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 150 A, 0.0091 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SUP90100E-GE3 за ціною від 146.19 грн до 298.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUP90100E-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET N-CHANNEL 200-V (D-S) |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SUP90100E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUP90100E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 150 A, 0.0091 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SUP90100E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bulk |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
SUP90100E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bulk |
товар відсутній |
|||||||||||||
| SUP90100E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 150A Bulk |
товар відсутній |
||||||||||||||
| SUP90100E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 150A; Idm: 250A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 150A Pulsed drain current: 250A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
| SUP90100E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 150A; Idm: 250A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 150A Pulsed drain current: 250A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |