SUP70060E-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SUP70060E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 131 A, 0.0048 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 100.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUP70060E-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SUP70060E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 131 A, 0.0048 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 131A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: ThunderFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SUP70060E-GE3 за ціною від 99.1 грн до 155.8 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUP70060E-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 100V Vds 20V Vgs TO-220 |
на замовлення 231 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SUP70060E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 131A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
SUP70060E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 131A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|||||||||||||
| SUP70060E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 131A; Idm: 240A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 131A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 81nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
 |
SUP70060E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 131A TO220AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 50 V |
товар відсутній |
|||||||||||||
| SUP70060E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 131A; Idm: 240A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 131A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 81nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |