SUP60020E-GE3

SUP60020E-GE3 Vishay / Siliconix


sup60020e.pdf Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
на замовлення 724 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+228.78 грн
10+ 207.67 грн
25+ 154.48 грн
100+ 136.14 грн
500+ 121.33 грн
1000+ 98.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUP60020E-GE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SUP60020E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 0.002 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SUP60020E-GE3 за ціною від 101.06 грн до 253.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SUP60020E-GE3 SUP60020E-GE3 Виробник : VISHAY 2818749.pdf Description: VISHAY - SUP60020E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 0.002 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 1152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+253.22 грн
10+ 177.25 грн
100+ 156.68 грн
500+ 129.32 грн
1000+ 101.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
SUP60020E-GE3 SUP60020E-GE3 Виробник : Vishay sup60020e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
SUP60020E-GE3 SUP60020E-GE3 Виробник : Vishay sup60020e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
SUP60020E-GE3 SUP60020E-GE3 Виробник : Vishay sup60020e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
SUP60020E-GE3 Виробник : VISHAY sup60020e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 150A; Idm: 500A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 227nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SUP60020E-GE3 SUP60020E-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sup60020e.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 150A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V
товар відсутній
SUP60020E-GE3 Виробник : VISHAY sup60020e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 150A; Idm: 500A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 227nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній