на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 221.4 грн |
| 10+ | 196.41 грн |
| 100+ | 139.87 грн |
| 500+ | 110.35 грн |
| 1000+ | 106.83 грн |
| 2500+ | 100.51 грн |
| 5000+ | 98.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUP50020EL-GE3 Vishay / Siliconix
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 120A; Idm: 300A, Mounting: THT, Pulsed drain current: 300A, Power dissipation: 375W, Gate charge: 126nC, Polarisation: unipolar, Technology: TrenchFET®, Drain current: 120A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 60V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: tube, Case: TO220AB, On-state resistance: 2.8mΩ, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SUP50020EL-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SUP50020EL-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|
 |
SUP50020EL-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|
| SUP50020EL-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 120A; Idm: 300A Mounting: THT Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 375W Gate charge: 126nC Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Drain current: 120A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: TO220AB On-state resistance: 2.8mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
SUP50020EL-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB |
товар відсутній |
|
| SUP50020EL-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 120A; Idm: 300A Mounting: THT Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 375W Gate charge: 126nC Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Drain current: 120A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: TO220AB On-state resistance: 2.8mΩ |
товар відсутній |