STWA60N043DM9 STMicroelectronics
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 897.55 грн |
| 10+ | 777 грн |
| 30+ | 626.68 грн |
| 120+ | 560.67 грн |
| 270+ | 531.58 грн |
| 510+ | 491.83 грн |
| 1020+ | 436.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STWA60N043DM9 STMicroelectronics
Description: N-CHANNEL 600 V, 38 MOHM TYP., 5, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 28A, 10V, Power Dissipation (Max): 312W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247 Long Leads, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4675 pF @ 400 V.
Інші пропозиції STWA60N043DM9 за ціною від 564.1 грн до 834.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STWA60N043DM9 | Виробник : STMicroelectronics |
 Description: N-CHANNEL 600 V, 38 MOHM TYP., 5Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 312W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Long Leads Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4675 pF @ 400 V |
на замовлення 144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| STWA60N043DM9 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||
 |
STWA60N043DM9 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| STWA60N043DM9 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 35A; Idm: 175A; 312W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 35A Pulsed drain current: 175A Power dissipation: 312W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 43mΩ Mounting: THT Gate charge: 78.6nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| STWA60N043DM9 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 35A; Idm: 175A; 312W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 35A Pulsed drain current: 175A Power dissipation: 312W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 43mΩ Mounting: THT Gate charge: 78.6nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товару немає в наявності |