Технічний опис STW63N65DM2 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 446W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STW63N65DM2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| STW63N65DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||
 |
STW63N65DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|
| STW63N65DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
STW63N65DM2 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
||
 |
STW63N65DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 446W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|
| STW63N65DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 650 V, 0.042 Ohm typ 60 A MDmesh DM2 Power MOSFET |
товару немає в наявності |