STW42N60M2-EP

STW42N60M2-EP STMicroelectronics


STx42N60M2-EP.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 34A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 100 V
на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+508.38 грн
30+ 390.75 грн
120+ 349.62 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STW42N60M2-EP STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STW42N60M2-EP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.076 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.076ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції STW42N60M2-EP за ціною від 266.27 грн до 579.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STW42N60M2-EP STW42N60M2-EP Виробник : STMicroelectronics stb42n60m2_ep-1850483.pdf MOSFET N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET
на замовлення 600 шт:
термін постачання 817-826 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+553.16 грн
10+ 466.91 грн
25+ 368.47 грн
100+ 337.88 грн
250+ 318.41 грн
600+ 266.27 грн
STW42N60M2-EP STW42N60M2-EP Виробник : STMICROELECTRONICS STx42N60M2-EP.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STW42N60M2-EP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.076 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.076ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+579.46 грн
5+ 496.79 грн
10+ 413.34 грн
50+ 367.89 грн
100+ 324.88 грн
250+ 306.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW42N60M2-EP STW42N60M2-EP Виробник : STMicroelectronics 6129476363782412dm0015.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW42N60M2-EP Виробник : STMicroelectronics 6129476363782412dm0015.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW42N60M2-EP STW42N60M2-EP Виробник : STMicroelectronics STx42N60M2-EP-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2-EP; unipolar; 600V; 22A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2-EP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 76mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STW42N60M2-EP STW42N60M2-EP Виробник : STMicroelectronics STx42N60M2-EP-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2-EP; unipolar; 600V; 22A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2-EP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 76mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній