![STW42N60M2-EP STW42N60M2-EP](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2554/TO-247-3-HiP.jpg)
STW42N60M2-EP STMicroelectronics
![STx42N60M2-EP.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 600V 34A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 100 V
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 508.38 грн |
30+ | 390.75 грн |
120+ | 349.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW42N60M2-EP STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW42N60M2-EP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.076 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.076ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STW42N60M2-EP за ціною від 266.27 грн до 579.46 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STW42N60M2-EP | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 600 шт: термін постачання 817-826 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STW42N60M2-EP | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.076ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 577 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STW42N60M2-EP | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
STW42N60M2-EP | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||
![]() |
STW42N60M2-EP | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2-EP; unipolar; 600V; 22A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2-EP Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 22A Power dissipation: 250W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 76mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
STW42N60M2-EP | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2-EP; unipolar; 600V; 22A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2-EP Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 22A Power dissipation: 250W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 76mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |