![STW40N90K5 STW40N90K5](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/F7/10/D0/00/0/852351_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=21a407ab6dca4ced1d33a0021712bc48827616e0)
STW40N90K5 STMicroelectronics
![en.DM00265509.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 25A; Idm: 160A
Mounting: THT
Case: TO247
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Technology: MDmesh™ K5
Power dissipation: 446W
Pulsed drain current: 160A
Gate-source voltage: ±30V
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 25A
On-state resistance: 99mΩ
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 951.47 грн |
3+ | 835.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW40N90K5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 40A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 446W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3260 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STW40N90K5 за ціною від 767.55 грн до 1526.47 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STW40N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 25A; Idm: 160A Mounting: THT Case: TO247 Kind of package: tube Features of semiconductor devices: ESD protected gate Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Technology: MDmesh™ K5 Power dissipation: 446W Pulsed drain current: 160A Gate-source voltage: ±30V Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 900V Drain current: 25A On-state resistance: 99mΩ |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
STW40N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 446W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3260 pF @ 100 V |
на замовлення 574 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
STW40N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 600 шт: термін постачання 398-407 дні (днів) |
|
||||||||||
STW40N90K5 Код товару: 158568 |
![]() |
товар відсутній
|