STU6N65M2 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
MOSFETs N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 81.79 грн |
10+ | 65.19 грн |
100+ | 44.42 грн |
500+ | 37.96 грн |
1000+ | 31 грн |
3000+ | 27.99 грн |
6000+ | 27.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STU6N65M2 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 4A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251 (IPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 226 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STU6N65M2
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
STU6N65M2 | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товар відсутній |
||
STU6N65M2 | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товар відсутній |
||
STU6N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 4A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 226 pF @ 100 V |
товар відсутній |