STS8DN3LLH5 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 46.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STS8DN3LLH5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STS8DN3LLH5 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.0155 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.7W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET V Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.7W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції STS8DN3LLH5 за ціною від 39.51 грн до 124.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STS8DN3LLH5 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STS8DN3LLH5 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.0155 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.7W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET V Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.7W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 3512 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STS8DN3LLH5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.7W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
на замовлення 4849 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STS8DN3LLH5 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET Dual N-Ch 30V 10A STripFET V Pwr |
на замовлення 14371 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STS8DN3LLH5 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STS8DN3LLH5 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.0155 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.7W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET V Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.7W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 3512 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STS8DN3LLH5 |
|
на замовлення 78 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
 |
STS8DN3LLH5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO N T/R |
товар відсутній |