STS10N3LH5 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±22V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±22V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 34.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STS10N3LH5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±22V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STS10N3LH5 за ціною від 29.34 грн до 86.22 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STS10N3LH5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±22V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 25 V |
на замовлення 4575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STS10N3LH5 | Виробник : STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 30 V 10 A SO-8 STripFET |
на замовлення 998 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STS10N3LH5 | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO N T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
STS10N3LH5 | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO N T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
STS10N3LH5 | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO N T/R |
товар відсутній |