на замовлення 1032 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 46.8 грн |
| 10+ | 39.18 грн |
| 100+ | 23.57 грн |
| 500+ | 19.74 грн |
| 1000+ | 16.82 грн |
| 2000+ | 14.6 грн |
| 4000+ | 13.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STQ1NC45R-AP STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 450V 500MA TO92-3, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-92-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STQ1NC45R-AP
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| STQ1NC45RAP |
на замовлення 24745 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| STQ1NC45R-AP | Виробник : ST |
 09+ |
на замовлення 127998 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| STQ1NC45R-AP | Виробник : STM |
TO-92 05+ |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
STQ1NC45R-AP Код товару: 61971 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 |
товар відсутній
|
||
| STQ1NC45R-AP | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
STQ1NC45R-AP | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 450V 500MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
|
|
STQ1NC45R-AP | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 450V 500MA TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
| STQ1NC45R-AP | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |